1.本文涉及一种真空钎焊材料及其使用的加热器钎焊方法。例如陶瓷加热器。
更具体地说，本发明应用不同的焊接材料、温度、惰性气体和真空度用于加热器的钎焊。
2.相关技术说明 在半导体制造设备的制造工艺中，用于加热半导体晶片的加热器用于半导体薄膜的成膜工艺、蚀刻工艺、抗蚀剂膜的烘烤工艺等。
陶瓷加热器因其优异的温度可控性以及对半导体器件布线小型化和提高晶圆热处理温度精度的需求而得到广泛应用。
已经使用了多种技术来改善执行这些功能的陶瓷加热器的性能。
其中一种技术是钎焊，它是当今快速工业发展过程中应用最广泛的连接技术之一，特别是在航空航天，汽车，制冷和空调，家用电器中，在本发明的前半部分被广泛使用并且被广泛使用，因为它们可以与不同的金属零件焊接，甚至可以与不同的尺寸粘接，并且比其他粘接方法具有相对强的焊接强度并可以获得美观精致的焊接部件技术。
将详细描述传统陶瓷加热器的钎焊技术。首先，将要钎焊的产品放入腔室并关闭门。然后，在腔室中形成约760托或数十托至几百托的真空，用于在泵和工作腔之间形成真空的连接管用阀门关闭，以便不再形成真空，然后使用加热元件从腔室外部加热到预定温度， 使用将氢气（H2）气体注入腔室的方法以防止杂质进入腔室。
然而，钎焊到这种传统的陶瓷加热器上存在诸如由于外部空气进入腔室和注入氢气以防止杂质流入和施加到腔室的真空度而在陶瓷加热器表面发生裂纹缺陷（白化现象）等问题。
这个问题是制造半导体缺陷的严重原因，因此必须加以纠正。
本文是为了解决如上所述的常规陶瓷加热器的钎焊相关问题而做出的，本文的目的在于提供一种通过钎焊加热器的组成部分来防止加热器表面开裂的方法，另一个目的是提供一种能够防止加热器表面变白的钎焊材料，以防止产生的裂纹缺陷。
为了达到上述目的，本发明的钎焊材料为Cr、B、Si、Fe、C和Ni混合得到的材料。钎焊材料为Cr重量%的7.0%、B重量的3.1%、Si的4.5重量%、Fe重量的3.0%、C重量的0.06%和Ni重量的82.34%的混合物。和盘状形状。为了达到上述目的，加热器钎焊方法为加热器钎焊方法。陶瓷加热器包括用于加热加热器的加热板、连接到连接器以提供加热器操作电源的电源线棒、用于在加热器中产生等离子体的射频棒和射频天线，天线和射频棒之间的粘合部分是通过注入预定的钎焊材料形成的，形成预定的温度和预定的真空度， 并注入惰性气体。腔室的真空度为10-1托至10-9托本发明的腔室温度设置为500至2000°C。 将N2、Ar和He任一种的惰性气体注入腔室 应用钎焊的加热器由选自Al2O3组成的组的材料制成， AlN、Y2O3、SiC、BN、ZrO2、（RF）、不锈钢（STS）、铝（Al）、钛（Ti）等用于本发明的加热板、电源棒、射频天线和射频棒的钎焊。、镍 （Ni）、铬镍铁合金、钼 （Mo） 和钨 （W）。另一个实施方案，选择性地形成具有预定深度的加热板和粘合到其上的凹槽的部件部分，并将钎焊材料填充并粘结到该凹槽上。
根据本文的钎焊材料，可以通过防止加热器表面变白来防止开裂。根据本发明的加热器钎焊方法，加热器表面的所有真空度、温度、开裂缺陷都可以通过钎焊来防止，从而均匀地加热半导体晶片。根据真空钎焊材料的加热器钎焊方法，可以通过改善加热器特性来提高加热器的寿命，从而可以连接经济优势。
点击返回前页
